电子自旋：闪存技术的新突破

发布时间：2012-09-04 09:56:56 来源于：CBF聚焦网

摘要：

科学家们一直在讨论将电子的自然旋转用于电子储存的可能性，但因为电子自旋现象的短暂性，这一技术一直很难成为现实。不过现在，IBM的研究者们找到了让该现象维持足够长的时间以便投以实用。

所谓的自旋电子学就是利用指电子在磁场内向上或向下旋转来在半导体上读写数据。问题在于电子向上或向下的转动时间只有100皮秒（1皮秒为百亿分之一秒），导致其在现实领域没有用武之地。

但是IBM的研究者们将电子的自选时间提高到了1.1毫微秒（1毫微秒为10亿分之一秒），而这正是1Ghz处理器的完成一条指令的时间。因此我们可以说，这样研究让电子自旋得以用于普通的计算机。

其实研究者们早在2003年就开始研究如何将电子自旋的时间延长到足以使用的阶段，但直到现在他们才找到一种让电子自旋保持一种常规的条纹状形态。

这项研究成果的意义可能对于普通人来说有点模糊，研究者们表示这可以衍生出更快、更有效的闪存技术，比现在比较流行的使用NAND闸的闪存设备（U盘、储存卡等）耗费的能量更少。

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